封装:
TFBGA(5)
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(5)
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资料
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TFBGA
    品类: 电子元器件分类
    描述:
    128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
    7283
    20-49
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    5000-9999
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    ≥10000
    0.0000
  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TFBGA
    品类: 电子元器件分类
    描述:
    256兆位(多银行,多层次,突发)快闪记忆体和64兆位(突发)的PSRAM , 1.8V电源,多芯片封装 256 Mbit (Multiple Bank, Multi-Level, Burst) Flash Memory and 64 Mbit (Burst) PSRAM, 1.8V Supply, Multi-Chip Package
    2960
    20-49
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    ≥10000
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  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TFBGA
    品类: 电子元器件分类
    描述:
    16兆位( 1Mb的X16 ,引导块) 3V供应闪存 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory
    4399
    20-49
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  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TFBGA
    品类: 电子元器件分类
    描述:
    128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
    2440
    20-49
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  • 品牌: ST Microelectronics (意法半导体)
    封装:
    TFBGA
    品类: 电子元器件分类
    描述:
    1千兆, 2千兆, 2112字节/ 1056字页, 1.8V / 3V , NAND闪存 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory
    8889
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